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Article cité :

CHARACTERIZATION OF SiO₂ FILMS DEPOSITED BY PYROLYSIS OF TETRAETHYLORTHOSILICATE (TEOS)

W.S. WU, S. ROJAS, S. MANZINI, A. MODELLI, D. RE

J. Phys. Colloques, 49 C4 (1988) C4-397-C4-400

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988483

PDF (1.989 MB)

Citations de cet article :

Breakdown-Voltage Degradation Under AC Stress of Thick SiO2 Capacitors for Galvanic Insulation

Federico Giuliano, Susanna Reggiani, Elena Gnani, et al.
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Characterization and numerical analysis of breakdown in thick amorphous SiO2 capacitors

Federico Giuliano, Susanna Reggiani, Elena Gnani, et al.
Solid-State Electronics 192 108256 (2022)
https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108256

Federico Giuliano, Susanna Reggiani, Elena Gnani, Antonio Gnudi, Mattia Rossetti, Riccardo Depetro and Giuseppe Croce
1 (2021)
https://doi.org/10.1109/EuroSOI-ULIS53016.2021.9560700

Novel TCAD Approach for the Investigation of Charge Transport in Thick Amorphous SiO2 Insulators

Federico Giuliano, Susanna Reggiani, Elena Gnani, et al.
IEEE Transactions on Electron Devices 68 (11) 5438 (2021)
https://doi.org/10.1109/TED.2021.3100309