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Article cité :

HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTOR, PHYSICAL ANALYSIS AND NEW STRUCTURES

G. SALMER

J. Phys. Colloques, 49 C4 (1988) C4-125-C4-134

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988425

PDF (3.666 MB)

Citations de cet article :

Experimental analysis of HEMT behavior under low-temperature conditions

A. Belache, A. Vanoverschelde, G. Salmer and M. Wolny
IEEE Transactions on Electron Devices 38 (1) 3 (1991)
https://doi.org/10.1109/16.65729

The importance of contact injection in undoped AlGaAs/GaAs heterostructures

Z.-M. Li, D.J. Day, S.P. McAlister and C.M. Hurd
IEEE Transactions on Electron Devices 37 (3) 556 (1990)
https://doi.org/10.1109/16.47757