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Article cité :

AN IMPROVED FULLY CMOS COMPATIBLE BIPOLAR STRUCTURE

A. GÉRODOLLE, G. GIROULT, S. MARTIN, A. NOUAILHAT

J. Phys. Colloques, 49 C4 (1988) C4-93-C4-96

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988419

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Citations de cet article :

Analysis of B and As diffusion from polycrystalline Si toward monocrystalline Si during rapid heat procedure

C Gontrand, C Dubois and A Laugier
Journal of Physics: Condensed Matter 3 (18) 3091 (1991)
https://doi.org/10.1088/0953-8984/3/18/004

Development of advanced CMOS-compatible bipolar transistor for BiCMOS technology

A. Nouailhat, G. Giroult, P. Delpech and A. Gérodolle
Electronics Letters 24 (25) 1581 (1988)
https://doi.org/10.1049/el:19881078