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Article cité :

HOT CARRIER STRESS INDUCED CHANGES IN MOST TRANSCONDUCTANCE STRUCTURE

C. BERGONZONI, R. BENECCHI, P. CAPRARA

J. Phys. Colloques, 49 C4 (1988) C4-779-C4-782

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884163

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Citations de cet article :

The influence of gate edge shape on the degradation in hot-carrier stressing of n-channel transistors

B.S. Doyle, C. Bergonzoni and A. Boudou
IEEE Electron Device Letters 12 (7) 363 (1991)
https://doi.org/10.1109/55.103608