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Article cité :

IMPROVEMENT OF GaAs EPITAXIAL LAYERS BY INDIUM INCORPORATION

J. P. LAURENTI, P. ROENTGEN, K. WOLTER, K. SEIBERT, H. KURZ, J. CAMASSEL

J. Phys. Colloques, 49 C4 (1988) C4-693-C4-696

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884145

PDF (1.591 MB)

Citations de cet article :

Theoretical analyses of the carrier localization effect on the photoluminescence of In-rich InGaAs layer grown on InP

Marwa Ben Arbia, Badreddine Smiri, Ilkay Demir, et al.
Materials Science in Semiconductor Processing 140 106411 (2022)
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106411

Improving the quality of microelectronic devices by strained layer epitaxy

Heinz Beneking
Materials Science and Engineering: B 20 (1-2) 41 (1993)
https://doi.org/10.1016/0921-5107(93)90393-2