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Article cité :

ELECTRONIC PROPERTIES OF SILICON INTERFACES PREPARED BY DIRECT BONDING

S. BENGTSSON, O. ENGSTRÖM

J. Phys. Colloques, 49 C4 (1988) C4-63-C4-66

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988412

PDF (1.521 MB)

Citations de cet article :

The bonded unipolar silicon-silicon junction

Stefan Bengtsson, Gert I. Andersson, Mats O. Andersson and Olof Engström
Journal of Applied Physics 72 (1) 124 (1992)
https://doi.org/10.1063/1.352172

A suggested mechanism for silicon direct bonding from studying hydrophilic and hydrophobic surfaces

Y Backlund, K Ljungberg and A Soderbarg
Journal of Micromechanics and Microengineering 2 (3) 158 (1992)
https://doi.org/10.1088/0960-1317/2/3/006