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Article cité :

REAL-SPACE TRANSFER IN HETEROJUNCTION FET's : MONTE-CARLO SIMULATION AND ANALYTICAL MODEL

M. MOUIS, F. PAVIET-SALOMON, P. DOLLFUS, R. CASTAGNÉ

J. Phys. Colloques, 49 C4 (1988) C4-567-C4-570

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884119

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Citations de cet article :

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Monte Carlo simulation of pseudomorphic InGaAs/GaAs high electron mobility transistors: Physical limitations at ultrashort gate length

P. Dollfus, C. Bru and P. Hesto
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Collector‐up light‐emitting charge injection transistors inn‐InGaAs/InAlAs/p‐InGaAs andn‐InGaAs/InP/p‐InGaAs heterostructures

G. L. Belenky, P. A. Garbinski, S. Luryi, et al.
Journal of Applied Physics 73 (12) 8618 (1993)
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