ON THE MOBILITY OF GaAs-AlGaAs HETEROSTRUCTURES WITH AN IMPURITY LAYER IN THE GaAs
J. Phys. Colloques, 48 C5 (1987) C5-255-C5-258
Article cité par
La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).
Article cité :
Citations de cet article :
Metal-insulator transition inAlxGa1−xAs/GaAs heterostructures with large spacer width
A. GoldPhysical Review B 44 (16) 8818 (1991)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.8818
Ionized-impurity scattering of quasi-two-dimensional quantum-confined carriers
W. Ted MasselinkPhysical Review Letters 66 (11) 1513 (1991)
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.66.1513
Impurity levels, impurity bands, excited impurity bands, and band tails: The electronic density of states in quantum wells and heterostructures
J. Serre, A. Ghazali and A. GoldPhysical Review B 39 (12) 8499 (1989)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.8499
Mobility of the two-dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs heterostructures at low electron densities
A. GoldApplied Physics Letters 54 (21) 2100 (1989)
https://doi.org/10.1063/1.101176