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Transient photoluminescence in GaInAs/InP multiple quantum wells

P J Bishop, M E Daniels, B K Ridley and M Hopkinson
Semiconductor Science and Technology 8 (9) 1758 (1993)
https://doi.org/10.1088/0268-1242/8/9/016

Temperature dependence of the radiative and nonradiative recombination time in GaAs/AlxGa1−xAs quantum-well structures

M. Gurioli, A. Vinattieri, M. Colocci, et al.
Physical Review B 44 (7) 3115 (1991)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.3115

Radiative and non-radiative recombination in GaAs/AlxGa1−xAs quantum wells

B. Sermage, F. Alexandre, J. Beerens and P. Tronc
Superlattices and Microstructures 6 (4) 373 (1989)
https://doi.org/10.1016/S0749-6036(89)80004-7

Luminescence of GaAs/(Al,Ga)As superlattices grown on Si substrates, containing a high density of threading dislocations: Strong effect of the superlattice period

T. Y. Liu, P. M. Petroff and H. Kroemer
Journal of Applied Physics 64 (12) 6810 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.341994