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Article cité :

X-RAY ABSORPTION STUDIES OF AMORPHOUS SEMICONDUCTORS

D.E. SAYERS, M.A. PAESLER

J. Phys. Colloques, 47 C8 (1986) C8-349-C8-356

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986869

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Citations de cet article :

Amorphous Ge under pressure

Keiji Tanaka
Physical Review B 43 (5) 4302 (1991)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.43.4302

Extended x-ray-absorption and electron-energy-loss fine-structure studies of the local atomic structure of amorphous unhydrogenated and hydrogenated silicon carbide

Alain E. Kaloyeros, Richard B. Rizk and John B. Woodhouse
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Structural studies of argon-sputtered amorphous carbon films by means of extended x-ray-absorption fine structure

G. Comelli, J. Stöhr, C. Robinson and W. Jark
Physical Review B 38 (11) 7511 (1988)
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