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Article cité :

ARSENIC SEGREGATION IN POLYSILICON AND AT THE POLY/SINGLE CRYSTALLINE SILICON INTERFACE

H. Oppolzer, W. Eckers, H. Schaber

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DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985458

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Citations de cet article :

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Laser-induced sputtered neutral mass spectrometry study of arsenic concentration profiles in a polycrystalline silicon/single-crystal silicon system

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