DEEP LEVEL DEFECTS IN SILICON AFTER BEAM PROCESSING IN THE SOLID PHASE REGIME
J. Phys. Colloques, 44 C5 (1983) C5-269-C5-280
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Fundamental Origin of Si Surface Defects Caused by Laser Irradiation and Prevention of Suboxide Formation through High Density Ultrathin SiO2
Won Jin Kim, Kee-Ryung Park, Sang Ouk Ryu, Bum Sung Kim, Jinhyeong Kwon and Woo-Byoung KimApplied Surface Science 662 159997 (2024)
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.159997
A study of laser-induced surface defects in silicon and impact on electrical properties
Zeming Sun and Mool C. GuptaJournal of Applied Physics 124 (22) (2018)
https://doi.org/10.1063/1.5058143
Metastable Defects in Silicon
A. ChantreMRS Proceedings 104 (1987)
https://doi.org/10.1557/PROC-104-37
Metastable-defect behavior in silicon: Charge-state-controlled reorientation of iron-aluminum pairs
Alain Chantre and Daniel BoisPhysical Review B 31 (12) 7979 (1985)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.31.7979
Configurationally bistableCcenter in quenched Si:B: Possibility of a boron-vacancy pair
Alain ChantrePhysical Review B 32 (6) 3687 (1985)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.32.3687