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Article cité :

PICOSECOND LASER ANNEALING OF IMPLANTED Si AND GaAs : A COMPARATIVE STUDY WITH A RAMAN MICROPROBE

J. Sapriel, Y.I. Nissim, J.L. Oudar

J. Phys. Colloques, 44 C5 (1983) C5-187-C5-191

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983529

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Citations de cet article :

Femtosecond laser irradiation of indium phosphide in air: Raman spectroscopic and atomic force microscopic investigations

J. Bonse, J.M. Wrobel, K.-W. Brzezinka, N. Esser and W. Kautek
Applied Surface Science 202 (3-4) 272 (2002)
https://doi.org/10.1016/S0169-4332(02)00948-0

Phase transformations of an InSb surface induced by strong femtosecond laser pulses

I. Shumay and U. Höfer
Physical Review B 53 (23) 15878 (1996)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.53.15878