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Article cité :

ELIMINATION OF DISLOCATIONS IN GaAs SINGLE CRYSTALS

M. Duseaux, C. Schiller, J.P. Cornier, J.P. Chevalier, J. Hallais

J. Phys. Colloques, 44 C4 (1983) C4-397-C4-407

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983447

PDF (3.394 MB)

Citations de cet article :

Investigation of high‐quality GaAs:In layers grown by molecular‐beam epitaxy

A. Uddin and T. G. Andersson
Journal of Applied Physics 65 (8) 3101 (1989)
https://doi.org/10.1063/1.342706

Fermi energy control of vacancy coalescence and dislocation density in melt-grown GaAs

J. Lagowski, H. C. Gatos, T. Aoyama and D. G. Lin
Applied Physics Letters 45 (6) 680 (1984)
https://doi.org/10.1063/1.95355