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Article cité :

First-principles calculations of the energy barrier to dislocation motion in Si and GaAs

S. Öberg, P. K. Sitch, R. Jones and M. I. Heggie
Physical Review B 51 (19) 13138 (1995)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.51.13138

Charged dislocation induced optical absorption in GaAs

D. Vignaud and J. L. Farvacque
Journal of Applied Physics 65 (3) 1261 (1989)
https://doi.org/10.1063/1.343020

Deep electron level calculations for dislocations in Si and Ge recursion approach exploiting the translational symmetry

H. Veth and H. Teichler
Philosophical Magazine B 49 (4) 371 (1984)
https://doi.org/10.1080/13642818408246525