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Article cité :

First-principles calculations of the energy barrier to dislocation motion in Si and GaAs

S. Öberg, P. K. Sitch, R. Jones and M. I. Heggie
Physical Review B 51 (19) 13138 (1995)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.51.13138

Stress dependence of dislocation glide activation energy in single-crystal silicon-germanium alloys up to 2.6 GPa

Brian Dodson and Jeffrey Tsao
Physical Review B 38 (17) 12383 (1988)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.38.12383