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Article cité :

ENERGY LEVELS AND PROPERTIES OF DEFECTS ON RECONSTRUCTED DISLOCATIONS IN SILICON

M.I. Heggie, R. Jones

J. Phys. Colloques, 44 C4 (1983) C4-43-C4-47

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983405

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Citations de cet article :

New physics of the 30° partial dislocation in silicon revealed throughab initiocalculation

Gábor Csányi, Torkel D Engeness, Sohrab Ismail-Beigi and T A Arias
Journal of Physics: Condensed Matter 12 (49) 10029 (2000)
https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/302

Dislocation cores in semiconductors. From the « shuffle or glide » dispute to the « glide and shuffle » partnership

F. Louchet and J. Thibault-Desseaux
Revue de Physique Appliquée 22 (4) 207 (1987)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002204020700