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Article cité :

ELUCIDATION OF DISLOCATION CORE STRUCTURES IN SILICON BY HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY

G.L. Hutchison

J. Phys. Colloques, 44 C4 (1983) C4-3-C4-13

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983401

PDF (1.917 MB)

Citations de cet article :

High-resolution electron microscopy of neutron-irradiation-induced dislocations in SiC

Toyohiko Yano and Takayoshi Iseki
Philosophical Magazine A 62 (4) 421 (1990)
https://doi.org/10.1080/01418619008244788

New Developments in Semiconductor Physics

J. Heydenreich
Lecture Notes in Physics, New Developments in Semiconductor Physics 301 95 (1988)
https://doi.org/10.1007/BFb0034419