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SHORT RANGE STRUCTURE AND SOME PHYSICAL PROPERTIES OF THE GLASSES IN THE SYSTEM Na₂O-Ga₂O₃-SiO₂

S. Goto, T. Hanada, R. Ota, N. Soga, N. Iwamoto, N. Umesaki

J. Phys. Colloques, 43 C9 (1982) C9-111-C9-114

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982921

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Citations de cet article :

High‐Performance Amorphous InGaZnO Thin‐Film Transistors via Staked Ultrathin High‐k TaOx Buffer Layer Grown on Low‐k SiO2 Gate Oxide

Tae Sung Kang, Kap Soo Yoon, Gwang Ho Baek, et al.
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Analysis of electronic structure of amorphous InGaZnO/SiO2 interface by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy

Y. Ueoka, Y. Ishikawa, N. Maejima, et al.
Journal of Applied Physics 114 (16) (2013)
https://doi.org/10.1063/1.4828869