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Article cité :

INFLUENCE OF MBE GROWTH CONDITIONS ON THE PROPERTIES OF Al_xGa_1-xAs/GaAs HETEROSTRUCTURES

H. Morkoç

J. Phys. Colloques, 43 C5 (1982) C5-209-C5-220

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982525

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Citations de cet article :

Fabricación y caracterización de pozos cuánticos para el estudio de la interacción luz-materia

Lucy Estefanía Tapia-Rodríguez, Liliana Estela Guevara-Macías, Alfonso Lastras-Martínez and Luis Felipe Lastras-Martínez
CienciaUAT 06 (2023)
https://doi.org/10.29059/cienciauat.v17i2.1737

Prediction of Surface Roughness as a Function of Temperature for SiO2 Thin-Film in PECVD Process

Muhammad Rizwan Amirzada, Yousuf Khan, Muhammad Khurram Ehsan, Atiq Ur Rehman, Abdul Aleem Jamali and Abdul Rafay Khatri
Micromachines 13 (2) 314 (2022)
https://doi.org/10.3390/mi13020314

Surface roughness analysis of SiO2 for PECVD, PVD and IBD on different substrates

Muhammad Rizwan Amirzada, Andreas Tatzel, Volker Viereck and Hartmut Hillmer
Applied Nanoscience 6 (2) 215 (2016)
https://doi.org/10.1007/s13204-015-0432-8