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Article cité :

INFLUENCE OF ARSENIC VAPOR SPECIES ON ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF MBE GROWN GaAs

H. Jung, H. Künzel, K. Ploog

J. Phys. Colloques, 43 C5 (1982) C5-135-C5-143

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982517

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Citations de cet article :

Impact of arsenic species on self-assembly of triangular and hexagonal tensile-strained GaAs(111)A quantum dots

Christopher F Schuck, Kevin D Vallejo, Trent Garrett, et al.
Semiconductor Science and Technology 35 (10) 105001 (2020)
https://doi.org/10.1088/1361-6641/aba6e0

Transient capacitance study of electron traps in AlGaAs grown with As2

P. M. Mooney, R. Fischer and H. Morkoç
Journal of Applied Physics 57 (6) 1928 (1985)
https://doi.org/10.1063/1.334426