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Article cité :

PROPRIETES ELECTRONIQUES DES JOINTS DE GRAINS DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN

J. Oualid, H. Amzil, J.P. Crest, J. Dugas, G. Mathian, M. Zehaf, S. Martinuzzi

J. Phys. Colloques, 43 C1 (1982) C1-313-C1-318

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982142

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Citations de cet article :

Real Time Observation of the Directional Solidification of Multicrystalline Silicon: X-ray Imaging Characterization

A. Tandjaoui, N. Mangelinck-Noël, G. Reinhart, et al.
Energy Procedia 27 82 (2012)
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An investigation of the thermal stability of the interfacial oxide in polycrystalline silicon emitter bipolar transistors by comparing device results with high-resolution electron microscopy observations

G. R. Wolstenholme, N. Jorgensen, P. Ashburn and G. R. Booker
Journal of Applied Physics 61 (1) 225 (1987)
https://doi.org/10.1063/1.338861