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Improvement of RCA transistor using RTA annealing after the formation of interfacial oxide
Zhang Li Chun, Jin Hai Yan, Ye Hong Fei, Gao Yu Zhi, Ning Bao Jun and Mo Bang Xian IEEE Transactions on Electron Devices 49(6) 1075 (2002) https://doi.org/10.1109/TED.2002.1003751
Comparison of experimental and computed results on arsenic- and phosphorus-doped polysilicon emitter bipolar transistors
An investigation of the thermal stability of the interfacial oxide in polycrystalline silicon emitter bipolar transistors by comparing device results with high-resolution electron microscopy observations
G. R. Wolstenholme, N. Jorgensen, P. Ashburn and G. R. Booker Journal of Applied Physics 61(1) 225 (1987) https://doi.org/10.1063/1.338861
Self-Aligned Transistors with Polysilicon Emitters for Bipolar VLSI