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Improvement of RCA transistor using RTA annealing after the formation of interfacial oxide

Zhang Li Chun, Jin Hai Yan, Ye Hong Fei, Gao Yu Zhi, Ning Bao Jun and Mo Bang Xian
IEEE Transactions on Electron Devices 49 (6) 1075 (2002)
https://doi.org/10.1109/TED.2002.1003751

Comparison of experimental and computed results on arsenic- and phosphorus-doped polysilicon emitter bipolar transistors

P. Ashburn, D.J. Roulston and C.R. Selvakumar
IEEE Transactions on Electron Devices 34 (6) 1346 (1987)
https://doi.org/10.1109/T-ED.1987.23090

An investigation of the thermal stability of the interfacial oxide in polycrystalline silicon emitter bipolar transistors by comparing device results with high-resolution electron microscopy observations

G. R. Wolstenholme, N. Jorgensen, P. Ashburn and G. R. Booker
Journal of Applied Physics 61 (1) 225 (1987)
https://doi.org/10.1063/1.338861

Comparison of experimental and theoretical results on polysilicon emitter bipolar transistors

P. Ashburn and B. Soerowirdjo
IEEE Transactions on Electron Devices 31 (7) 853 (1984)
https://doi.org/10.1109/T-ED.1984.21622