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Article cité :

Electrical activity and microstructure of a faceted (1―11)-(11―2), Σ = 3 twin boundary in aluminium-doped silicon

Jean-Luc Maurice
Philosophical Magazine A 68 (5) 951 (1993)
https://doi.org/10.1080/01418619308219378

Fast diffusers Cu and Ni as the origin of electrical activity in a silicon grain boundary

J.‐L. Maurice and C. Colliex
Applied Physics Letters 55 (3) 241 (1989)
https://doi.org/10.1063/1.101919

Infrared investigation of the presence of Fe in B‐doped polycrystalline silicon

A. Borghesi, M. Geddo, A. Stella and Chen Chen‐Jia
Journal of Applied Physics 63 (8) 2864 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.340942

Effects of heat treatment on the composition and semiconductivity of electrochemically deposited CdTe films

Makoto Takahashi, Kohei Uosaki, Hideaki Kita and Yoshikazu Suzuki
Journal of Applied Physics 58 (11) 4292 (1985)
https://doi.org/10.1063/1.335514