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The atomic and electronic structure of the {211}/{111} facets in Si

M Kohyama, S Kose, M Kinoshita and R Yamamoto
Journal of Physics: Condensed Matter 1 (43) 8251 (1989)
https://doi.org/10.1088/0953-8984/1/43/025

Electrical activity of the first‐ and second‐order twins and grain boundaries in silicon

A. Bary and G. Nouet
Journal of Applied Physics 63 (2) 435 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.340259