HYDROGEN PASSIVATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON PHOTOVOLTAIC CELLS
J. Phys. Colloques, 43 C1 (1982) C1-103-C1-116
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Citations de cet article :
Material characterization with a simple laser scanning microscope
R. Krug, P. Würfel and W. RuppelApplied Optics 32 (32) 6458 (1993)
https://doi.org/10.1364/AO.32.006458
Structure of hydrogen-induced planar defect in silicon by high-resolution electron microscopy
Shunsuke Muto, Seiji Takeda, Mitsuji Hirata and Tetsuo TanabeJournal of Applied Physics 70 (7) 3505 (1991)
https://doi.org/10.1063/1.349243
Hydrogen plasma induced defects in silicon
S. J. Jeng, G. S. Oehrlein and G. J. ScillaApplied Physics Letters 53 (18) 1735 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.99810
Impurity-defect interaction in polycrystalline silicon for photovoltaic applications. The role of hydrogen
A. Chari, P. de Mierry, A. Menikh and M. AucouturierRevue de Physique Appliquée 22 (7) 655 (1987)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207065500
Influence and passivation of extended crystallographic defects in polycrystalline silicon
S. MartinuzziRevue de Physique Appliquée 22 (7) 637 (1987)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207063700
Grain‐boundary space‐charge conduction
Herbert F. MataréJournal of Applied Physics 59 (1) 97 (1986)
https://doi.org/10.1063/1.336846
Hydrogenation of gold‐related levels in silicon by electrolytic doping
S. J. Pearton, W. L. Hansen, E. E. Haller and J. M. KahnJournal of Applied Physics 55 (4) 1221 (1984)
https://doi.org/10.1063/1.333167
Passivation par l'hydrogène de défauts recombinants dans les photopiles réalisées sur rubans de silicium polycristallin RAD
M. Mautref, C. Lacroix, C. Belouet, et al.Revue de Physique Appliquée 19 (4) 333 (1984)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904033300
Passivation of intragrain defects by copper diffusion in p-type polycrystalline silicon
M. Zehaf, G. Mathian, C.M. Singal and S. MartinuzziRevue de Physique Appliquée 18 (9) 557 (1983)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01983001809055700