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Mode of growth and microstructure of polycrystalline silicon obtained by solid‐phase crystallization of an amorphous silicon film
L. Haji, P. Joubert, J. Stoemenos and N. A. Economou Journal of Applied Physics 75(8) 3944 (1994) https://doi.org/10.1063/1.356014
Investigation of the electronic structure of the Sigma 5(210) grain boundary in silicon by the linear muffin-tin orbitals/tight-binding method
A V Nikolaeva, A V Artemyev, Yu H Vekilov, L K Fionova and M B Samsonova Journal of Physics: Condensed Matter 4(11) 2775 (1992) https://doi.org/10.1088/0953-8984/4/11/007
A particular case of electronic behaviour of the Sigma =3 grain boundary in p-type Si