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Article cité :

NOISE AND DIFFUSIVITY OF HOT ELECTRONS IN n-TYPE InSb

V. Bareikis, A. Galdikas, R. Miliu¡yté, J. Pozhela, Viktoravičius

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DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981725

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Citations de cet article :

Frequency limits of terahertz radiation generated by optical-phonon transit-time resonance in quantum wells and heterolayers

P. Shiktorov, E. Starikov, V. Gružinskis, et al.
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Experiments on hot electron noise in semiconductor materials for high-speed devices

V. Bareikis, J. Liberis, I. Matulioniene, A. Matulionis and P. Sakalas
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Monte Carlo simulation of charge-carrier behavior in electric fields

Juras Požela
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https://doi.org/10.1016/0010-4655(91)90224-9

Diagonal and Off-Diagonal Contributions to Autocorrelation of Velocity Fluctuations in Semiconductors

Rosella Brunetti and Carlo Jacoboni
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https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.50.1164