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Article cité :

MONTE CARLO SIMULATION OF VARIABLE RANGE HOPPING AT THE FERMI LEVEL

G. Schönherr, H. Bässler, M. Silver

J. Phys. Colloques, 42 C4 (1981) C4-111-C4-114

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981420

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Citations de cet article :

Variable‐Range Hopping Conduction in Amorphous, Non‐Stoichiometric Gallium Oxide

Philipp Hein, Tobias Romstadt, Fabian Draber, Jinseok Ryu, Thorben Böger, Andreas Falkenstein, Miyoung Kim and Manfred Martin
Advanced Electronic Materials 11 (4) (2025)
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Experimental observation of the density of localized trapping levels in organic semiconductors

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Variable Temperature Capacitance-Voltage Measurements to Investigate the Density of Localized Trapping Levels in Organic Semiconductors

Naser Sedghi, David Donaghy, Munira Raja, et al.
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https://doi.org/10.1557/PROC-0905-DD06-02