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Article cité :

DISORDER EFFECTS ON GaP CORE LEVELS STUDIED BY ELECTRON SPECTROSCOPIES

G. Dufour, E. Belin, C. Senemaud, A. Gheorghiu, M.L. Theye

J. Phys. Colloques, 42 C4 (1981) C4-877-C4-880

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:19814192

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Citations de cet article :

Handbook of Thin Films

Roberto Murri and Nicola Pinto
Handbook of Thin Films 369 (2002)
https://doi.org/10.1016/B978-012512908-4/50058-8

A theoretical study of stoichiometric and As-rich amorphous GaAs

J P Xanthakis, P Katsoulakos and D Georgiakos
Journal of Physics: Condensed Matter 5 (46) 8677 (1993)
https://doi.org/10.1088/0953-8984/5/46/007

Electron-irradiation-induced crystalline-to-amorphous transition in β-SiC single crystals

H. Inui, H. Mori, A. Suzuki and H. Fujita
Philosophical Magazine B 65 (1) 1 (1992)
https://doi.org/10.1080/13642819208223042

EXAFS evidence for chemical disorder in amorphous GaP

D. Udron, A. M. Flanks, A. Gheorghiut, P. Lagarde and M. L. Thèye
Philosophical Magazine Letters 59 (1) 9 (1989)
https://doi.org/10.1080/09500838908214770

Effects of chemical and structural disorder in III-V semiconductors and their alloys

J P Xanthakis
Journal of Physics: Condensed Matter 1 (29) 4817 (1989)
https://doi.org/10.1088/0953-8984/1/29/008

Electronic structure of amorphous semiconductors

John Robertson
Advances in Physics 32 (3) 361 (1983)
https://doi.org/10.1080/00018738300101571