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Article cité :

DARK- AND PHOTOCONDUCTIVITY OF COMPENSATED a-Si : H

B. Hoheisel, R. Fischer, J. Stuke

J. Phys. Colloques, 42 C4 (1981) C4-819-C4-822

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:19814180

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Citations de cet article :

Recombination at correlated dangling bonds and the effects of Fermi level position on steady-state photoconductwiry in amorphous silicon

E. Morgado
Philosophical Magazine B 63 (2) 529 (1991)
https://doi.org/10.1080/13642819108205957

Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: A systematic study

M. Stutzmann, W. B. Jackson and C. C. Tsai
Physical Review B 32 (1) 23 (1985)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.32.23