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ISOTHERMAL CAPACITANCE TRANSIENT SPECTROSCOPY : ITS APPLICATION TO THE STUDY OF GAP STATES OF a-Si:H

H. Okushi, Y. Tokumaru, S. Yamasaki, H. Oheda, K. Tanaka

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Citations de cet article :

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Light-induced metastable defects in a-Se90X10(X = Sb, In and Ag) thin films

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Temperature dependence of electron-capture cross section of localized states ina−Si:H

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