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Article cité :

DUAL LIGHT BEAM MODULATION OF PHOTOCARRIER LIFETIME IN INTRINSIC a-Si:H

P.D. Persans, H. Fritzsche

J. Phys. Colloques, 42 C4 (1981) C4-597-C4-600

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:19814130

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Citations de cet article :

Trapping in hydrogenated amorphous silicon studied by dual-beam modulated photoconductivity

J. Bullot, P. Cordier, M. Gauthier and G. Mawawa
Philosophical Magazine B 59 (6) 681 (1989)
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Evidence ofg=2.013 defect centers ina-Si:H

Y. Wu and A. Stesmans
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Investigations of the effect of nonexponential distribution of gap states on photoconductivity

Enakshi Bhattacharya and K. L. Narasimhan
Physical Review B 28 (4) 2287 (1983)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.28.2287