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Article cité :

PHOTOVOLTAIC EFFECT IN INTERSTITIALLY DOPED a-Si:H

S. Kumar, S.C. Agarwal

J. Phys. Colloques, 42 C4 (1981) C4-527-C4-530

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:19814113

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Citations de cet article :

Interfacial defect creation by interstitial lithium doping of amorphous hydrogenated silicon

K. Winer and R. A. Street
Applied Physics Letters 53 (6) 505 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.99881

Light-induced changes, adsorbate effects and surface photovoltage in a-Si : H

Shailendra Kumar and S. C. Agarwal
Philosophical Magazine B 49 (4) L53 (1984)
https://doi.org/10.1080/13642818408246520