NON-THERMAL LASER INDUCED ORDERING AND PLASMA LIFE TIME
J. Phys. Colloques, 41 C4 (1980) C4-25-C4-30
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Citations de cet article :
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The evaluation of the crystallinity of laser annealed polycrystalline silicon-on-silicon structures by Raman-microprobe polarization measurements
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Variation of semiconductor band gaps with lattice temperature and with carrier temperature when these are not equal
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Plasma annealing state of semiconductors; plasma condensation to a superconductivity- like state at 1000 K?
J.A. Van Vechten and A.D. CompaanSolid State Communications 39 (8) 867 (1981)
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