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The measurement of deep level states caused by misfit dislocations in InGaAs/GaAs grown on patterned GaAs substrates
G. Patrick Watson, Dieter G. Ast, Timothy J. Anderson, Balu Pathangey and Yasuhiro Hayakawa Journal of Applied Physics 71(7) 3399 (1992) https://doi.org/10.1063/1.350936
Si-TaSi/sub 2/ composite photodiodes with wavelength-independent quantum efficiency
M. Levinson, J. Schlafer and B.M. Ditchek IEEE Transactions on Electron Devices 38(11) 2563 (1991) https://doi.org/10.1109/16.97424
Dislocations and plasticity in semiconductors. I — Dislocation structures and dynamics