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Article cité :

Valence and magnetic ordering in intermediate valence compounds: TmSe versus SmB6

J Derr, G Knebel, G Lapertot, et al.
Journal of Physics: Condensed Matter 18 (6) 2089 (2006)
https://doi.org/10.1088/0953-8984/18/6/021

Low Temperature Properties of the Magnetic Semiconductor TmTe

Takeshi Matsumura, Shintaro Nakamura, Terutaka Goto, et al.
Journal of the Physical Society of Japan 67 (2) 612 (1998)
https://doi.org/10.1143/JPSJ.67.612

Pressure-induced valence transition in TmSe: An x-ray-diffraction study

D. Debray, A. Werner, D. L. Decker, M. Loewenhaupt and E. Holland-Moritz
Physical Review B 25 (6) 3841 (1982)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.25.3841

Divergence of the Very-Low-Temperature Residual Resistivity ofTmxSeasx→1

P. Haen, F. Lapierre, J. M. Mignot, R. Tournier and F. Holtzberg
Physical Review Letters 43 (4) 304 (1979)
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.43.304