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Article cité :

LATTICE LOCATION OF 5s-p IMPURITIES IMPLANTED IN TYPE-IV SEMICONDUCTORS

M. VAN ROSSUM, J. DE BRUYN, G. LANGOUCHE, R. COUSSEMENT, P. BOOLCHAND

J. Phys. Colloques, 37 C6 (1976) C6-889-C6-892

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:19766188

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Citations de cet article :

Mössbauer Spectroscopy Applied to Inorganic Chemistry

Guido Langouche
Mössbauer Spectroscopy Applied to Inorganic Chemistry 445 (1989)
https://doi.org/10.1007/978-1-4899-2289-2_10

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Radiation defects in ion-implanted silicon. II. Mössbauer spectroscopy ofSn119defect structures from implantations of radioactive tellurium

A. Nylandsted Larsen, G. Weyer and L. Nanver
Physical Review B 21 (11) 4951 (1980)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.21.4951