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Article cité :

Photoemission study of composition- and temperature-induced metal-insulator transitions in Cr-dopedV2O3

Kevin E. Smith and Victor E. Henrich
Physical Review B 50 (3) 1382 (1994)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.1382

Effect of correlations and disorder on electron states in the Mott-Hubbard insulatorV2O3

S. A. Carter, J. Yang, T. F. Rosenbaum, J. Spalek and J. M. Honig
Physical Review B 43 (1) 607 (1991)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.43.607

Electron correlation in low-carrier-density metals: photoemission study of the hole-doped mott insulatorLixZn1−xV2O4

A. Fujimori, K. Kawakami and N. Tsuda
Physical Review B 38 (11) 7889 (1988)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.38.7889

Elastic constants ofV2O3between 300 and 640 K: Anomalies near the high-temperature electrical transition

D. N. Nichols, R. J. Sladek and H. R. Harrison
Physical Review B 24 (6) 3025 (1981)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.24.3025

Magnetic structure of the low temperature antiferromagnetic phase of V2O3

H. Kuwamoto, William R. Robinson and J.M. Honig
Journal of Solid State Chemistry 24 (3-4) 389 (1978)
https://doi.org/10.1016/0022-4596(78)90031-2