Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 51, Numéro C1, Janvier 1990
Proceeding of the International Congress
Intergranular and Interphase Boundaries in materials
Page(s) C1-641 - C1-645
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19901101
J. Phys. Colloques 51, C1-641-C1-645 (1990)
DOI: 10.1051/jphyscol:19901101

INTERGRANULAR CORROSION OF STAINLESS STEELS UNDER TRANSPASSIVE CONDITIONS : STUDY OF SILICON SEGREGATION IN <001> TILT BICRYSTALS

J. STOLARZ et J. LE COZE

Ecole Nationale Supérieure des Mines, 158, Cours Fauriel, F-42023 Saint-Etieme Cedex 2, France


Abstract
La corrosion intergranulaire transpassive des aciers inoxydables austénitiques dépend fortement de leur teneur en silicium. Une relation linéaire entre l'intensité d'attaque intergranulaire dans les conditions électrochimiques définies et la teneur en silicium aux joints de grains a été trouvée. Le test électrochimique de corrosion intergranulaire a été appliqué à l'étude de de la relation entre le niveau de ségrégation du silicium et l'angle de désorientation, dans les joints symétriques de flexion autour de <001> dans l'acier inoxydable 17Cr-13Ni contenant 0,3 et 0,8% Si. Les résultats ont été interprétés par la variation de la distance des plans d(hkl)/a parallèles au plan du joint de grains, en fonction de l'angle de désorientation. Dans les joints étudiés, la ségrégation intergranulaire est d'autant plus forte que la distance d est plus élevée.


Abstract
Intergranular corrosion of austenitic stainless steels under transpassive conditions depends strongly on silicon content of the steel. A linear relation between intergranular corrosion rate at constant electrochemical potential in the transpassive range and silicon content at grain boundaries has been found. The electrochemical corrosion test has been applied to study the misorientation dependence of silicon segregation in <001> symmetrical stainless steel tilt bicrystals containing 0.3 and 0.8 wt.% Si. The correlation segregation-structure has been explained by the variation of interplanar spacing of planes d(hkl)/a parallel to the grain boundary with the misorientation angle. The intergranular segregation of silicon increases when the interplanar spacing d increases.