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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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Page(s) | C5-209 - C5-217 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989527 |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-209-C5-217
DOI: 10.1051/jphyscol:1989527
PREPARATION OF SIC-WHISKER REINFORCED CVD-SIC
E. FITZER, W. REMMELE et G. SCHOCHInstitut für Chemische Technick, Universität Karlsruhe, Kaiserstrasse 12, D-7500 Karlsruhe 1, F.R.G.
Résumé
L'article décrit une étude expérimentelle de la préparation des composites SiC renforcés par des whiskers SiC par la déposition de SiC de la phase vapour (CVD) et l'infiltration de la phase vapeur (CVI) utilisant le trichloromethylsilane (H3CSiCl3, MTS) comme précurseur SiC volatile. La procédure expérimentelle est exprimé par la température de déposition, la pression totale, la composition du gaz porteur et par la concentration du MTS dans la phase gazeuse. Les résultats sont discutés par les changes de la masse, de la porosité et de la distribution de la grandeur des pores. Des micrographies électroniques par balayage sont présentées pour la description de la morphologie des couches déposées. Des dates préalables sur les propriétés méchaniques sont présentées comme résistance à la flexure à la température ambiente. Les paramètres utilisables à obtenir des "all-SiC-Composites" renforcés par des whiskers SiC avec une porosité d'environ 25 vol-% sont discutés en détail.
Abstract
The paper describes an experimental study on the preparation of SiC-whisker reinforced SiC-composites by Chemical Vapour Deposition (CVD) and Chemical Vapour Impregnation (CVI) with trichloromethylsilane as volatile SiC-precursor. The experimental procedure is described in terms of deposition temperature, total pressure, carrier gas composition and content of the MTS (H CSiCl)-precursor in the gas phase. The results are discussed in terms of weight gain, change in porosity and pore size distribution. Scanning electron micrographs are presented for the description of the morphology of the deposits. Tentative values on the mechanical properties of selected samples are given as room temperature flexural strength data. The process parameters to achieve whisker reinforced "all SiC-composites" with about 25 vol-% remaining total porosity are described in detail.