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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-67 - C5-72 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989511 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-67-C5-72
DOI: 10.1051/jphyscol:1989511
MODELING OF LPCVD SILICON NITRIDE PROCESS
JI-TAO WANG1, SHI-LI ZHANG2, YONG-FA WANG3, WEI ZHANG3, ZHENG-CHANG CHEN3, KE-YUN ZHANG3 et YUAN-FANG WANG31 Uppsala University, Institute of Chemistry, Box 531, S-751 21 Uppsala, Sweden
2 Swedish Institute of Microelectronics, S-164 21 Kista, Sweden
3 Fudan University, 220 Handan Road, Shangai, China
Résumé
Une grande attention a été accordée par divers groupes de recherche et divers auteurs à la modélisation du procédé CVD sous basse pression. Notre modèle a été proposé en 1979 et 1980, puis amélioré et étendu plusieurs fois. La simulation repose sur des formules algébriques faciles à utiliser. Dans nos publications précédentes, ce modèle a été utilisé avec succès pour le dépôt de silicium polycristallin. Dans le présent article, il est utilisé dans le cas du dépôt de Si3N4. Les résultats théoriques sont en bon accord avec les résultats expérimentaux cités dans la littérature.
Abstract
Much attention has been paid to the modeling of LPCVD process by several research groups and authors. Our simulation model of LPCVD process was proposed in 1979 and 1980, and then improved and extended several times. Our simulation formulae are algebraic, so it is easy to be used. Our model was successfully used for the LPCVD Poly-Si process in our previous papers, and also for the LPCVD Si3N4 process in this paper. The theoretical results agree very well with experiments reported in literature.