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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C6, Novembre 1988
35th International Field Emission Symposium / 35éme Symposium International d'Emission de Champ
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| Page(s) | C6-99 - C6-104 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988617 | |
35th International Field Emission Symposium / 35éme Symposium International d'Emission de Champ
J. Phys. Colloques 49 (1988) C6-99-C6-104
DOI: 10.1051/jphyscol:1988617
1 Instituto de Fisica, UFBa., Campus Universitario da Federação, 40 210 Salvador, Bahia, Brazil
2 VG Ionex Ltd., Charles Avenue, Maltings Park, GB-Burguess Hill RH15 9TQ, West Sussex, Great-Britain
J. Phys. Colloques 49 (1988) C6-99-C6-104
DOI: 10.1051/jphyscol:1988617
IMAGING GAS ADSORPTION IN THE FIELD ION MICROSCOPE : DEPENDENCE IN TIP FIELD STRENGTH AND TIP TEMPERATURE
C.M.C. de CASTILHO1 et D.R. KINGHAM21 Instituto de Fisica, UFBa., Campus Universitario da Federação, 40 210 Salvador, Bahia, Brazil
2 VG Ionex Ltd., Charles Avenue, Maltings Park, GB-Burguess Hill RH15 9TQ, West Sussex, Great-Britain
Résumé
Les conditions pour la formation d'une couche de gaz "imageant" adsorbé sur la surface d'un échantillon au Microscope Ionique de Champ sont recherchées en utilisant un simple modèle théorique pour le mouvement des molécules du gaz. On conclue, alors, que la formation de cette couche n'est possible que pour une certaine gamme de valeurs d'intensité du champ et de température.
Abstract
The conditions for an imaging gas adsorbed layer in the Field Ion Microscope to be formed are investigated using a simple theoretical model for the imaging gas hopping motion. It is concluded that such a layer is formed just for a certain range of tip field (or voltage) values and tip temperatures.