ELECTRON ACCUMULATION AT THE n-ZnSe/n-GaAs INTERFACE

Résumé
Des résultats soutenant la présence d'une couche d'accumulation électronique dans le ZnSe, a l'interface de l'hétérostructure n-ZnSe/n-GaAs, sont présentés. Une couche tampon de GaAs de type n, de 1 µm d'épaisseur, avec une concentration électronique initiale de l'ordre de 10¹⁵ cm^-3, que l'on a fait croître sur un substrat semi-isolant de GaAs d'orientation (100), se trouve être totalement vidée de ses électrons lorsque l'on fait croître sur elle une couche épitaxique de ZnSe de type n. La concentration électronique de la couche tampon se trouve rétablie quand le ZnSe est retiré par une attaque chimique sélective. La conductance correspondante à cette couche de ZnSe decroît logarithmiquement avec la temperature, passant à une conduction d'activation au-dessus de 6K, du fait d'une forte localisation. Ce comportement est caractéristique d'un système bi-dimensionnel.

Abstract
Evidence for electron accumulation in the ZnSe side of n-ZnSe/n-GaAs heterostructures is presented. An n-GaAs buffer layer, approximately 1 µm thick, grown with low 10¹⁵ cm^-3 electronic concentration on a semi-insulating (100) GaAs substrate is fully depleted of electrons when an additional epilayer of n-ZnSe is grown on top of it. The n-GaAs epilayer electron concentration is restored when the ZnSe is removed by selective etching. The corresponding conductance of the n-ZnSe decreases logarithmically with temperature, going over to activated conduction below 6 K due to strong localization, a characteristic of a 2-D system.