Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C1, Février 1986
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics
Page(s) C1-629 - C1-633
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986196
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics

J. Phys. Colloques 47 (1986) C1-629-C1-633

DOI: 10.1051/jphyscol:1986196

ULTRASONIC STUDY OF SINTERED SiC AT LOW TEMPERATURES

A. HIKATA1, C. ELBAUM1, Y. INOMATA2, G. ORANGE3 et Y. TAKEDA4

1  Metals Research Laboratory, Brown University, Providence, R.I. 02912, U.S.A.
2  National Institute for Research in Inorganic Materials, Ibaraki, Japan
3  Institut National des Sciences Appliquées, F-69621 Villeurbanne, France
4  Hitachi Research Center, Hitachi-shi, Japan


Résumé
Nous avons étudié, à basse température < 1K, la variation de la vitesse du son en fonction de la température pour des échantillons de carbure de silicium frittés contenant trois ajouts de frittage différents, du bore ou de l'oxyde de béryllium ou du nitrure d'aluminium. Les résultats sont interprétés en termes d'effet tunnel à deux niveaux (TLS).


Abstract
We investigated the temperature dependence, at low temperatures (< 1 K), of sound velocity in sintered silicon carbide samples, containing three different sintering additives, boron or beryllium oxide or aluminum nitride. The results are interpreted in terms of Two Level Tunneling System (TLS).