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J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C8, Décembre 1985
Third International Conference on the Structure of Non-Crystalline Materials
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| Page(s) | C8-205 - C8-209 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985829 | |
J. Phys. Colloques 46 (1985) C8-205-C8-209
DOI: 10.1051/jphyscol:1985829
CONCENTRATION DEPENDENCE OF CRYSTAL-FIELD EFFECTS IN AMORPHOUS Cex Si1-x ALLOYS
D. Malterre, A. Siari, J. Durand and G. MarchalLaboratoire de Physique du Solide, (U.A. au C.N.R.S. n° 155), Université de Nancy I, B.P. 239, 54506 Vandoeuvre lès Nancy Cedex, France
Résumé
Les effets de champ cristallin sur les ions de cérium dans les alliages amorphes Cex Si1-x (0.06 ≤ x ≤ 0.70) sont analysés à travers la dépendance en température de la susceptibilité magnétique. La constante de Curie-Weiss déterminée à basse température présente une dépendance en concentration très marquée et passe par un minimum aux alentours de x = 0,28 suggérant un changement assez abrupt de la symétrie locale pour cette composition.
Abstract
Crystal-field effects on Ce ions in amorphous Cex Si1-x alloys (0.06 ≤ x ≤ 0.70) are analyzed through the temperature dependence of the magnetic susceptibility. The low-temperature Curie-Weiss constant exhibits a strong concentration dependence on the Si rich side to undergo a sharp minimum around x = 0.28, suggesting an abrupt change of the local symmetry about the Ce ions for this composition.