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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C9, Décembre 1984
31st International Field Emission Symposium / 31ème Symposium International d'Emission de Champ
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| Page(s) | C9-83 - C9-87 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984915 | |
31st International Field Emission Symposium / 31ème Symposium International d'Emission de Champ
J. Phys. Colloques 45 (1984) C9-83-C9-87
DOI: 10.1051/jphyscol:1984915
Physics Department, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, U.S.A.
J. Phys. Colloques 45 (1984) C9-83-C9-87
DOI: 10.1051/jphyscol:1984915
PULSED-LASER STIMULATED FIELD EVAPORATION OF SILICON A PHOTOEXCITATION EFFECT AND CLUSTER ION FORMATION*
T.T. TsongPhysics Department, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, U.S.A.
Résumé
L'évaporation de champ stimulée par impulsion laser produit des ions moléculaires de 3 à 16 atomes par amas. Les nombres magiques sont 4, 5, 6 et 13 qui correspondent à des unités petites et à forte symétrie des atomes dans un cristal de Si. Un effet de photoexcitation a également été observé.
Abstract
Pulsed-laser stimulated field evaporation produces cluster ions of 3 to 16 atoms per cluster. The magic numbers are 4, 5, 6 and 13 which correspond to small, higly symmetric units of atoms in a Si crystal. A photoexcitation effect has also been found.