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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C5, Avril 1984
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
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| Page(s) | C5-395 - C5-399 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984560 | |
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-395-C5-399
DOI: 10.1051/jphyscol:1984560
1 PULS, GNSM-INFN, Laboratori Nazionali di Frascati, Italy
2 Department of Physics, University of Wisconsin, Madison, WIS 53706, U.S.A.
J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-395-C5-399
DOI: 10.1051/jphyscol:1984560
MICROSCOPIC PROPERTIES OF ORDERED AND DISORDERED ZnSe-Ge INTERFACES+
C. Quaresima1, F. Patella1, F. Sette1, C. Capasso1, A. Savoia1, P. Perfetti1 et G. Margaritondo21 PULS, GNSM-INFN, Laboratori Nazionali di Frascati, Italy
2 Department of Physics, University of Wisconsin, Madison, WIS 53706, U.S.A.
Résumé
Nous donnons une démonstration expérimentale directe que la discontinuité de la bande de valence du système ZnSe(110)-Ge n'est pas modifiée de plus de 0,l eV par des processus thermiques. Ce résultat est en faveur des théories pour une description approchée de cette discontinuité qui négligent les effets locaux.
Abstract
We provide direct experimental evidence that annealing processes do not change the ZnSe(110)-Ge valence band discontinuity by more than 0.1 eV. This result supports recent attempts to formulate approximate discontinuity theories which neglect local effects.