| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-115 - C2-118 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984226 | |
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-115-C2-118
DOI: 10.1051/jphyscol:1984226
Physical Institute of the Technical University, Budapest, 1111Budafoki út 8., Hungary
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-115-C2-118
DOI: 10.1051/jphyscol:1984226
DEPTH RESOLUTION IN ION SPUTTERING - AN ASPECT OF QUANTITATIVEMICROANALYSIS
J. Giber, D. Marton et J. LászlóPhysical Institute of the Technical University, Budapest, 1111Budafoki út 8., Hungary
Résumé
La résolution en profondeur des profils de pulvérisation a été déterminée en utilisant des multicouches Ni-Cr. Nous avons aussi développé une méthode pour l'évaluation quantitative des résultats. La résolution en profondeur mesurée à l'aide des couches métalliques polycristallines, est fortement influencée par la diffusion intermétallique entre couches.
Abstract
The depth resolution of sputter depth profiling has beenanalysed using Ni-Cr multilayer structures. A new method has been developed toquantify the results. The depth resolution measured using polycrystallinemetallic layers is strongly influenced by mutual diffusion of thelayers.