| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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|---|---|---|
| Page(s) | C2-887 - C2-890 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842203 | |
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-887-C2-890
DOI: 10.1051/jphyscol:19842203
VNIINauchprybor, Leningrad, U.S.S.R.
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-887-C2-890
DOI: 10.1051/jphyscol:19842203
ELECTRONIC STRUCTURE OF AMORPHOUS Si3N4
I.A. Brytov, E.A. Obolenskii, Yu.N. Romashchenko et V.A. GritsenkoVNIINauchprybor, Leningrad, U.S.S.R.
Résumé
On a effectué l'interprétation des états électroniques dans la bande de valence et la bande de conduction du Si3N4 amorphe et on a établi le diagramme des énergies d'après les spectres d'émission et le rendement quantique de SiK -, SiL2,3 -, NK en combinaison avec les données de la spectroscopie des photoélectrons de rayons X des couches internes et de la bande de valence.
Abstract
There is performed interpretation of electronic states in valence and conduction bands of amorphous Si3N4 and constructed an energy diagram of electronic levels using X-ray SiK -, SiL2.3 -, HK - emission and quantum yield spectra in combination with the XPS data of inner levels.